特許
J-GLOBAL ID：200903049049011525
半導体膜の選択成長方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-044258
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260427
出願日： 1993年03月05日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：
【要約】【目的】 酸化膜パターンとの界面も平坦で結晶欠陥のない選択成長を行う。【構成】 (100)面より表面エネルギーの低い面方位である(111)面方位のSi基板5を用い、表面に酸化膜2のパターンを形成し、ガスソースシリコン分子線成長法で選択エピタキシャル成長する。すると酸化膜2とエピタキシャル膜7の界面が平坦でファセットがなく結晶欠陥もない。
請求項（抜粋）：
表面に絶縁膜パターンが形成された半導体基板上に半導体膜を選択エピタキシャル成長させる方法であって、前記基板として表面エネルギーの低い面方位のものを選び、しかも成長はガスソース分子線成長によって行うことを特徴とする半導体膜の選択成長方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205
, H01L 21/203
