化合物半導体装置、その製造方法及び半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：薄田利幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-114812
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321051
出願日： 1994年05月27日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：

【要約】【目的】Si基板上に、アンチフェイズバンダリーのない、窒素系III-V族混晶半導体が設けられた構造の半導体装置を提供すること。【構成】窒素元素を含むIII-V族混晶半導体からなるn型GaN0.03P0.97バッファ層15、n型半導体多層膜ミラー16、ノンドープ活性層18等より構成される面発光レーザダイオードが、n型Si基板10上に配置されている。この混晶半導体はアンチフェーズバンダリーが認められない。一方、ドレイン電極12、ソース電極13等から構成されるSi電子素子が同一の基板上に設けられている。

請求項（抜粋）：

Si基板上に、アンチフェーズバンダリーがない、V族元素として窒素を含むIII-V族混晶半導体が配置され、該III-V族混晶半導体に化合物半導体素子が設けられたことを特徴とする化合物半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 , H01L 21/02 , H01L 21/20 , H01L 33/00 , H01S 3/18

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平1-211912
特開平1-238113
特開平1-184815

審査官引用 (3件)

特開平1-211912
特開平1-238113
特開平1-184815

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