特許

J-GLOBAL ID：200903049055735764

半導体基板およびその製造方法

発明者： 長谷部 裕治 ,  大島 久純
出願人/特許権者： 株式会社デンソー
代理人 (1件)： 佐藤 強
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-360691
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183316
出願日： 1998年12月18日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 SOI構造を有する半導体基板で、高周波信号の伝搬効率の向上を図る。【解決手段】 半導体基板1は、高融点金属板2の表面に高融点金属酸化膜5が形成され、その上にシリコン酸化膜3を介してシリコン単結晶薄膜4が形成された構成である。支持基板である高融点金属板2は、低抵抗率領域として機能するもので、酸化膜5,3を介してシリコン単結晶薄膜4と接しているので、高周波回路素子を形成した場合にその高周波信号の伝搬効率を高めることができ、その場合でも、SOS構造や化合物半導体を用いるものに比べて安価にかつ簡単に形成することができる。

請求項（抜粋）：

高周波領域で動作する半導体素子を形成するためのものであって、支持基板上に絶縁膜を介して単結晶の半導体層を有する半導体基板において、前記支持基板は、少なくとも前記絶縁膜と接する面部に、前記半導体素子の動作で用いる高周波信号に対してその伝搬効率が極小値となる抵抗率よりも低い抵抗率に設定された低抵抗率領域を有することを特徴とする半導体基板。