特許

J-GLOBAL ID：200903049064658063

バンプ電極付き半導体装置およびその形成方法

発明者： 天野 俊昭
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-056661
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240420
出願日： 1994年03月01日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 バンプの形成プロセスが簡単化するとともに、外部の配線基板などとも十分な強度の接合が得られるバンプ電極付き半導体装置およびその形成方法を提供する。【構成】 半導体装置7のチップ電極8上にバンプ電極を設けたバンプ電極付き半導体装置において、バンプ電極は、チップ電極8側から金バンプ6、ニッケル層3、銅層1、ニッケル層3、金層4の順に積層されて構成されている。

請求項（抜粋）：

半導体装置のチップ電極上にバンプ電極を設けたバンプ電極付き半導体装置において、バンプ電極は、チップ電極側から金バンプ、ニッケル層、銅層、ニッケル層、金層の順に積層されていることを特徴とするバンプ電極付き半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311

FI (2件)：

H01L 21/92 F ,  H01L 21/92 D