特許
J-GLOBAL ID：200903049064896398
フォトダイオードおよびこの駆動方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-309970
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079438
出願日： 2003年09月02日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】pin構造のフォトダイオードについて半導体層の面積を増加させることなく光電流量を増加させる。【解決手段】p領域111とi領域112の接合面積よりもi領域112とn領域113の接合面積の方を広く形成する。p領域111にはアノード電極115を接続し、n領域113にはカソード電極116を接続し、i領域112の上には絶縁膜を介してゲート電極114を設ける。アノード電極115とカソード電極116間に逆バイアス電圧を印加するとともにゲート電極114に負電圧を印加してi領域112にホールを発生させることにより、i領域112とn領域113の境に沿って空乏層を発生させ、光電流量を増加させる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
p領域、i領域、n領域を有する半導体層と、
p領域に接続されたアノード電極と、
n領域に接続されたカソード電極とを備え、
p領域とi領域の接合面積とi領域とn領域の接合面積のうちの一方の接合面積が他方の接合面積よりも広く形成されたことを特徴とするフォトダイオード。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/10 E
, H01L31/10 G
5F049MA04
, 5F049MA05
, 5F049NA01
, 5F049QA03
, 5F049QA20
, 5F049UA05
