特許
J-GLOBAL ID：200903049067203652
半導体集積回路装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-358082
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183299
出願日： 1998年12月16日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 容量絶縁材料に窒化シリコン膜を用いる情報蓄積容量素子において、容量損失を無くすことのできる技術を提供する。【解決手段】 情報蓄積用容量素子Cは、不純物がドープされた多結晶シリコン膜からなる蓄積電極27と、窒化シリコン膜28からなる容量絶縁膜と、チタンナイトライド膜29からなるプレート電極とから構成されており、プレート電極をチタンナイトライド膜29で構成することによって、プレート電極の空乏化が抑えられて情報蓄積用容量素子Cの容量損失を低減することができる。
請求項（抜粋）：
立体形状の蓄積電極と、膜厚が10nm以下の窒化シリコン膜を挟んで設けられる金属膜または金属化合物からなるプレート電極とによって構成される情報蓄積用容量素子を備えたメモリセルを有することを特徴とする半導体集積回路装置。
IPC (2件)：
H01L 27/108
, H01L 21/8242
5F083AD10
, 5F083AD26
, 5F083AD48
, 5F083AD61
, 5F083GA09
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083MA06
, 5F083MA17
, 5F083MA19
, 5F083PR21
