特許

J-GLOBAL ID：200903049075396265

半導体素子

発明者： 近江 俊彦 ,  清水 亨
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 坂上 正明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-045032
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243523
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 ESD保護素子としてオフトランジスタを出力端子に入れただけでは、出力端子にマイナスの静電気が印加された場合に、出力トランジスタの寄生PN接合ダイオードを通して大電荷が流れるため、破壊に至る問題がある。【解決手段】 半導体素子の出力端子にN型MOSトランジスタが接続されている半導体素子において、前記出力端子に接続されているN型MOSトランジスタと並列にショットキーバリアダイオードが接続されていることを特徴とする半導体素子とすることで、出力端子にマイナスの静電気が印加された場合でも前記ショットキーバリアダイオードを通して大電荷を放出することができるためESD破壊を発生することがない。

請求項（抜粋）：

少なくとも1つ以上のMOSトランジスタが搭載されている半導体素子であり、半導体素子の出力端子にN型MOSトランジスタが接続されている半導体素子において、前記出力端子に接続されているN型MOSトランジスタと並列にショットキーバリアダイオードが接続されていることを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 21/822 ,  H01L 21/8238 ,  H01L 27/04 ,  H01L 27/06 311 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/092

FI (4件)：

H01L 27/06 311 B ,  H01L 27/06 311 C ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 321 H

Fターム (18件)：

5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BC06 ,  5F048BC20 ,  5F048BE03 ,  5F048BF02 ,  5F048BF07 ,  5F048CC06 ,  5F048CC08 ,  5F048CC16 ,  5F048CC19

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開平1-304778
  
• 特開昭59-069956
  
• 特開昭63-133663
  
• 特開平1-304778
  
• 特開昭59-069956
  
• 特開昭63-133663