特許
J-GLOBAL ID：200903049083658821
半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高島 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-210521
公開番号（公開出願番号）：特開平6-125111
出願日： 1993年08月25日
公開日（公表日）： 1994年05月06日
要約：
【要約】【構成】 裏面に下部電極7を有する半導体基板1と、pn接合部Xと、基板とpn接合部との間に配置される第1の光反射層2と、上部電極6と、pn接合部と上部電極との間に配置され上部電極へ向かう光を実質的に反射しえる第2の光反射層8とを備えることを特徴とし、好適にはpn接合部Xと第2の光反射層8間に、pn接合部に形成される発光層よりも広いバンドギャップを有する半導体層を設けてなる半導体発光素子である。【効果】 上部電極に吸収される光量を大幅に減少でき、上部電極に向かう光を効果的に素子外部へ取り出せるようになるので、pn接合部にて発光した光を無駄なく効果的に素子外部へ取り出せて、従来の発光素子よりも約50%輝度が向上した高輝度のものとなる。
請求項（抜粋）：
裏面に下部電極を有する半導体基板と、pn接合部と、基板とpn接合部との間に配置される第1の光反射層と、上部電極と、pn接合部と上部電極との間に配置され上部電極へ向かう光を実質的に反射しえる第2の光反射層とからなる半導体発光素子。
引用特許：
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