特許

J-GLOBAL ID：200903049093432910

処理装置

発明者： 立山 清久 ,  建山 正規 ,  高森 秀之
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社 ,  東京エレクトロン九州株式会社
代理人 (1件)： 中本 菊彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217462
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045302
出願日： 1992年07月24日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】【目的】 被処理体のエッジ部を確実に洗浄処理して、ウェット洗浄処理において被処理体の表面に跡形が残らないようにすることを可能とする。【構成】 半導体ウエハWを回転させつつ処理する装置において、半導体ウエハWのエッジ部3に処理液を供給しつつ洗浄処理するエッジ部洗浄処理手段を備える。エッジ部洗浄処理手段を、半導体ウエハWのエッジ部3に向けて処理液を供給するノズル4と、エッジ部3を擦る回転ブラシ5とで構成する。これにより、半導体ウエハWのエッジ部を確実に洗浄することができる。

請求項（抜粋）：

被処理体を回転させつつ処理する装置において、上記被処理体のエッジ部に処理液を供給しつつ洗浄処理するエッジ部洗浄処理手段を備えたことを特徴とする処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  B08B 1/04 ,  B08B 3/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭64-007984
  
• 特開昭64-007984
  
• 特開平4-186626
  
• 特開平4-345029