特許

J-GLOBAL ID：200903049093925810

磁気抵抗効果素子

発明者： 榊間 博 ,  里見 三男
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-044423
公開番号（公開出願番号）：特開平5-242436
出願日： 1992年03月02日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 室温でかつ実用的な印加磁界で大きな磁気抵抗効果を示す磁気抵抗効果素子を得る。【構成】 スパッタ装置を用い、厚さ10〜50ÅのNi-richのNi-Fe-Coより成る金属磁性薄膜層[1](及びCo-richのCo-Ni-Feより成る金属磁性薄膜層[2])と厚さ5〜50ÅのCu(Ag,Au,Pt,Ru)より成る金属非磁性薄膜層[2]とを積層した構造からなる磁気抵抗効果素子、特に金属非磁性薄膜層[2]の層厚が異なるものから構成されるもの、及びMR特性の第1、第2極大を示す2種類の層厚の金属非磁性薄膜層[2]を組み合わせた構成の磁気抵抗効果素子。【効果】 室温でかつ実用的な印加磁界で大きな磁気抵抗効果を示し、特性のばらつきが小さく、又軟磁気特性とMR特性のバランスのとれた磁気抵抗効果素子が得られる。

請求項（抜粋）：

厚さ10〜50Åの磁性薄膜層[1]と厚さ5〜50Åの金属非磁性薄膜層[2]を交互に積層した構造から成る磁気抵抗効果素子。(ただし、磁性薄膜層[1]は(NiXCo1-X)X'Fe1-X'を主成分とし、Xは0.6〜1.0、X'は0.7〜1.0である)

IPC (2件)：

G11B 5/39 ,  H01L 43/10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平4-247607