パワーモジュール用基板の端子構造

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須田正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-203031
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051060
出願日： 1995年08月09日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【課題】熱的応力が生じても、熱変形を吸収してセラミック基板の反りや割れを防止し、セラミック基板を薄くして小型にできかつ比較的軽くする。【解決手段】Al2O3又はAlNにより形成されたセラミック基板13に回路板14が直接又は第1ろう材を介して積層接着され、この回路板14に第2ろう材12と可塑性多孔質金属層17と第2ろう材12とを介して端子18が積層接着される。端子18はセラミック基板13と異なる熱膨張係数を有する。回路板14はCu又はAlにより形成され、可塑性多孔質金属層17は気孔率20〜50%のCu、Al又はAgの多孔質焼結体である。また端子18はCu又はAlにより形成され、第2ろう材12はAg-Cu又はAg-Cu-Tiろう材である。端子に接着される可塑性多孔質金属層の面積が端子の接続部分を除いた配線部分の断面積に対して2〜8倍であることが好ましい。

請求項（抜粋）：

Al2O3又はAlNにより形成されたセラミック基板(13)に直接又は第1ろう材(51)を介して積層接着された回路板(14)と、前記回路板(14)に第2ろう材(12)を介して積層接着された可塑性多孔質金属層(17)と、前記可塑性多孔質金属層(17)に前記第2ろう材(12)を介して一端の接続部分(18a)が接着され前記セラミック基板(13)と異なる熱膨張係数を有する端子(18)とを備えたパワーモジュール用基板の端子構造。

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