特許

J-GLOBAL ID：200903049095611693

半導体ヘテロ界面形成方法

発明者： 丹羽 正昭 ,  平井 義彦 ,  安井 十郎 ,  宇田川 昌治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-334205
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243266
出願日： 1992年12月15日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタの応答速度と耐圧特性を向上させる。【構成】 シリコン基板10を超高真空チャンバー内にセットし瞬時加熱法で清浄表面12を得る。清浄表面12はシリコン基板10を徐冷することによりシリコンの表面原子が再配列し、表面にステップが現れた状態となる。この状態でシリコン基板10を大気中に取り出し清浄表面12上に酸素を主体とする分子14によって自然酸化膜16を形成する。その後、通常の熱酸化により極薄のシリコン酸化膜17を形成する。基板温度を大気中の熱酸化と同じ 900°Cに保持しているので酸素分子の吸着と同時にシリコン原子との反応が起こるが、膜厚が極めて薄いので初期過程の域を超えない。しかし、従来例と異なりシリコン基板表面12が原子的に平坦であるので従来例において頻繁に発生したと考えられる特定の酸化種侵入経路は発生しにくく、均一にシリコン表面原子との反応が進む。

請求項（抜粋）：

真空中加熱などの方法で表面原子の再配列による原子的平坦面を有するシリコン清浄表面に吸着、堆積などの方法により別の物質構造を形成し原子的に平坦な界面を得る半導体ヘテロ界面形成方法であって、原子的に平坦なシリコン清浄表面上に自然酸化膜を成長させ清浄表面原子の結合状態を安定化させてから、酸化膜もしくは別の物質を吸着、堆積などの方法により適当な基板温度のもとで形成し原子的に平坦な界面を得ることを特徴とする半導体ヘテロ界面形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/784 ,  H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-111630
  
• 特開昭61-176125
  
• 特開平3-166726