特許
J-GLOBAL ID:200903049096541389
堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山下 穣平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-088403
公開番号(公開出願番号):特開平7-297142
出願日: 1994年04月26日
公開日(公表日): 1995年11月10日
要約:
【要約】【目的】 電気特性に優れ、均一で画像欠陥の少ない電子写真特性に優れた光受容部材を安定して高歩留りで量産可能な堆積膜形成装置及び堆積膜形成方法を提供する。【構成】 真空気密可能な反応容器201内に、カソード電極202及びガス導入手段211を設け、放電空間を取り囲む用に複数の円筒状支持体205を配置し、前記複数の円筒状支持体205により取り囲まれた放電空間内に原料ガス及び高周波エネルギーを導入し、導入した高周波エネルギーにより励起されるグロー放電により、前記支持体205上に堆積膜を形成する高周波プラズマCVD装置において、前記カソード電極202は前記複数の円筒状支持体205により取り囲まれた放電空間内に設置され、かつ該カソード電極202の表面が粗面化されている。
請求項(抜粋):
真空気密可能な反応容器内に、カソード電極及びガス導入手段を設け、放電空間を取り囲むように複数の円筒状支持体を配置し、前記複数の円筒状支持体により取り囲まれた放電空間内に原料ガス及び高周波エネルギーを導入し、導入した該高周波エネルギーにより励起されるグロー放電により、前記支持体上に堆積膜を形成する高周波プラズマCVD装置において、前記カソード電極は、前記複数の円筒状支持体により取り囲まれた放電空間内に設置され、かつ該カソード電極の表面が粗面化されていることを特徴とする堆積膜形成装置。
IPC (3件):
H01L 21/205
, C23C 16/24
, C23C 16/50
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開平3-202472
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特開昭59-125615
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特開平4-247877
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プラズマCVD装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-092886
出願人:キヤノン株式会社
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特開平3-219081
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