特許

J-GLOBAL ID：200903049097065483

固体撮像素子の製造方法

発明者： 北村 勇也
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-083343
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296008
出願日： 1993年04月09日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 受光領域とその周辺領域とで膜厚が異なる転送電極を備えた固体撮像素子の製造工程を簡略化する。【構成】 シリコン基板30の受光領域に複数の分離領域31及び、これを取り囲む周辺領域に同様に分離領域32を形成する。分離領域31を覆って絶縁膜34、多結晶シリコン膜35及び窒化膜36を順次形成し、窒化膜36を受光領域部分で除去して選択酸化のマスクとする。多結晶シリコン膜35を選択酸化することで受光領域部分の多結晶シリコン膜35の膜厚を薄くする。この多結晶シリコン膜35をパターニングすることで、分離領域31と交差する方向に受光領域を横切る転送電極を得る。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面部分の受光領域となる範囲に、電荷の移動を阻止する分離領域を複数本互いに平行に形成する工程と、上記半導体基板上に導電層を形成し、この導電層を上記受光領域の範囲に対応して選択的に酸化する工程と、上記導電層の酸化部分を除去した後、上記導電層をエッチングして上記分離領域と交差する方向に上記受光領域を横切る複数の転送電極を得る工程と、上記受光領域の周辺領域部分で上記転送電極に接続される電力供給線を形成する工程と、を備えることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。