干渉パターンによる基板における材料の選択析出

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石田敬 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-573110
公開番号（公開出願番号）：特表2003-529680
出願日： 2001年04月02日
公開日（公表日）： 2003年10月07日
要約：

【要約】基板上に材料を優先的に析出する方法が開示されている。最大の干渉パターンに一致する基板の領域を選択的に加熱するために、基板に電磁干渉パターンを指向することによって、材料を優先的に析出させることができる。次に、表面温度に基づいて表面に優先的に堆積することができる気相材料に基板を曝露することができる。

請求項（抜粋）：

基板表面に材料を優先的に析出するための方法であって、前記基板表面の領域上に2つ以上の相互可干渉性電磁ビームを指向して、電磁干渉パターンに基づいて前記基板表面の部分を優先的に加熱する電磁干渉パターンを形成するステップであって、円柱レンズが少なくとも1つの前記電磁ビームの経路に配置されるステップと、気相状態の材料に前記基板を曝露することによって、前記干渉パターンに基づいて、前記基板表面に材料を選択的に析出するステップであって、前記材料が表面温度の作用として優先的に堆積されることができるステップと、を含む方法。

IPC (4件)：

C23C 16/04 , C23C 16/48 , G02B 5/18 , G02B 5/30

FI (4件)：

C23C 16/04 , C23C 16/48 , G02B 5/18 , G02B 5/30

Fターム (26件)：

2H049AA07 , 2H049AA31 , 2H049AA33 , 2H049AA43 , 2H049AA45 , 2H049AA46 , 2H049AA55 , 2H049AA64 , 2H049BA05 , 2H049BA45 , 2H049BB63 , 2H049BC05 , 2H049BC08 , 2H049BC09 , 2H049BC23 , 2H049BC25 , 4K030FA00 , 4K030FA06 , 4K030FA07 , 4K030FA10 , 4K030HA06 , 4K030JA13 , 4K030JA19 , 4K030KA24 , 4K030KA36 , 4K030LA11

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