特許

J-GLOBAL ID：200903049102906181

窒素系III-V族化合物半導体素子およびその製造方法

発明者： 奧野 八重 ,  塚田 俊久
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-118658
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307188
出願日： 1996年05月14日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】 窒素系III-V族化合物半導体は、主に劈開しにくいウルツ鉱型六方格子構造を有しており、共振器端面を作製することが困難である。また、接触抵抗の低いp型電極を形成することが困難であった。従って本材料によって青緑色の端面発光型半導体レーザを作製することができなかった。【解決手段】 窒素系III-V族化合物半導体薄膜を、直接接着により面心立方格子構造を有する半導体基板上に形成する。面心立方格子構造は劈開が容易であり、基板の劈開によって窒素系薄膜の擬似劈開面を形成することができる。また、接触抵抗の低いp型電極を形成することができる。【効果】 擬似劈開面により端面発光型レーザを実現するに不可欠な共振器端面を容易に形成できる。更に、接触抵抗の低減により駆動電圧を低減することができる。従って、これまで作製し得なかった青緑色半導体レーザを作製することができる。

請求項（抜粋）：

窒素をV族構成元素の主たる元素とするIII-V族の第1の化合物半導体層を有して成る半導体光素子であり、前記第1の化合物半導体層は窒素を構成元素に含まない第1の半導体基板の表面上に直接接着により一体化されて成ることを特徴とする半導体光素子。

IPC (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/085

FI (4件)：

H01S 3/18 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/08 S