特許

J-GLOBAL ID：200903049110454460

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 宇佐美 光雄 ,  芝 健夫 ,  島本 裕已
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-276480
公開番号（公開出願番号）：特開平7-130756
出願日： 1993年11月05日
公開日（公表日）： 1995年05月19日
要約：

【要約】【目的】 裏面コレクタ金属電極を有するバイポーラトランジスタを用いた高密度集積回路装置を提供すること。【構成】 シリコンオンインシュレータウエハに浅溝と深溝を有するバイポーラトランジスタを薄膜化して、深溝は素子の分離と裏面コレクタ電極の分離を兼用する。【効果】 コレクタ電極が自己整合的に位置決めされるので、薄膜することによる、変形にかかわらず、微細電極を形成することが出来る。

請求項（抜粋）：

バイポーラトランジスタのコレクタが金属コレクタ電極に直接接続された縦型のバイポーラトランジスタを複数個有する半導体集積回路装置において、隣接する前記バイポーラトランジスタをそれぞれ電気的に分離する第一の溝と、隣接する前記バイポーラトランジスタのコレクタ電極をお互いに電気的に分離する第一の溝よりも深い第2の溝を有することを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (6件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 29/72 ,  H01L 21/76 L ,  H01L 29/80 U