特許
J-GLOBAL ID:200903049112197847
セラミックス回路基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
丸岡 政彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-241940
公開番号(公開出願番号):特開2003-060111
出願日: 2001年08月09日
公開日(公表日): 2003年02月28日
要約:
【要約】【課題】 ろう材を介してセラミックス基板と接合された金属板を所定形状にエッチングした後の露出したろう材等は回路パターン間の絶縁に有害なため除去する必要があるが、従来はハロゲン化水素等を含有する薬液を使用する場合にはセラミックス基板も同時に腐食されてしまい、一方、硝酸を含有する薬液を使用する場合には回路金属板も同時に腐食されてしまうという問題があり、エッチング後の露出したろう材等を選択的に溶解する方法の開発が望まれていた。【解決手段】 AlN基板の両面にAg-Cu-Ti-TiO2のろう材ペーストを印刷し、その上に銅板を配置し真空中で加熱し接合させる。次いで、この銅板の表面に所望の回路パターンのレジストを塗布しエッチングを行う。その後、EDTA、アンモニア、過酸化水素水の混合溶液を用いて、セラミックス基板と金属板を腐食することなく、回路パターン間に残った不要なろう材等を溶解除去する。
請求項(抜粋):
セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合した後、該金属板を所定形状にエッチングし、次いで該エッチングによって露出したろう材等をキレート試薬および過酸化水素水を含有する薬液またはキレート試薬、過酸化水素水およびアルカリを含有する薬液で除去する、ことを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
IPC (9件):
H01L 23/12
, C04B 37/02
, C23F 1/02
, C23F 1/18
, H05K 3/06
, H05K 3/24
, H05K 3/38
, B23K 35/30 310
, C22C 5/08
FI (9件):
C04B 37/02 B
, C23F 1/02
, C23F 1/18
, H05K 3/06 C
, H05K 3/24 A
, H05K 3/38 E
, B23K 35/30 310 B
, C22C 5/08
, H01L 23/12 D
Fターム (24件):
4G026BA03
, 4G026BA16
, 4G026BF16
, 4G026BH07
, 4K057WA11
, 4K057WB01
, 4K057WB04
, 4K057WC05
, 4K057WE08
, 4K057WE11
, 4K057WE23
, 4K057WE25
, 4K057WN01
, 5E339AB06
, 5E339BC02
, 5E339BE13
, 5E339CD01
, 5E343AA24
, 5E343BB24
, 5E343BB44
, 5E343BB67
, 5E343CC01
, 5E343CC07
, 5E343GG02
引用特許:
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