特許
J-GLOBAL ID：200903049120518148
半導体スイッチ装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小沢 信助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-026584
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244694
出願日： 1993年02月16日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：
【要約】【目的】 オン抵抗およびオフ時の静電容量が小さくて、高い耐圧が得られる半導体スイッチ装置を実現することにある。【構成】 直列接続された高耐圧のFET組および低耐圧のFET組と、オンの時には低耐圧のFET組を先にオンにしてオフの時には高耐圧のFET組を先にオフにする制御回路、とで構成されたことを特徴とするもの。
請求項（抜粋）：
直列接続された高耐圧のFET組および低耐圧のFET組と、オンの時には低耐圧のFET組を先にオンにしてオフの時には高耐圧のFET組を先にオフにする制御回路、とで構成されたことを特徴とする半導体スイッチ装置。
IPC (2件)：
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