特許
J-GLOBAL ID：200903049121514707
III族窒化物半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-267166
公開番号（公開出願番号）：特開2009-120474
出願日： 2008年10月16日
公開日（公表日）： 2009年06月04日
要約：
【課題】アルカリ金属を用いたフラックス法によるIII族窒化物半導体の製造において、坩堝回転軸の回転を阻害しない構造のIII族窒化物半導体製造装置を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体製造装置は、坩堝11を保持し回転させる回転軸13と、回転軸13の反応容器10外部の部分を覆い、反応容器10の内部と外部を遮断する回転軸カバー15を有し、回転軸カバー15には、窒素を供給する供給管16が設けられている。GaN結晶の育成中、蒸発したNaが隙間24に入り込まないように、回転軸13と回転軸カバー15の隙間24を通して窒素が反応容器10内部へ供給され続ける。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
反応容器と、加熱装置と、前記反応容器の内部に配置された坩堝と、を有し、前記坩堝に保持したIII 族金属とアルカリ金属とを少なくとも含む融液と、少なくとも窒素を含む気体とを前記反応容器内で反応させてIII 族窒化物半導体を結晶成長させるIII 族窒化物半導体製造装置において、
前記坩堝を保持し、前記反応容器内側から外側へ貫通する回転軸を備えた保持部と、
前記回転軸の前記反応容器外側部分を覆い、前記反応容器に開口して接続する回転軸カバーと、
前記反応容器外側に設けられ、前記回転軸を回転、移動させる回転駆動装置と、
前記回転軸カバーに接続し、前記回転軸と前記回転軸カバーとの隙間から、前記反応容器内に少なくとも窒素を含む気体を供給する供給管と、
を有することを特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置。
IPC (3件)：
C30B 29/38
, C30B 9/00
, H01L 33/00
C30B29/38 D
, C30B9/00
, H01L33/00 C
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EA06
, 4G077EG01
, 4G077EG22
, 4G077EG25
, 4G077EG27
, 4G077EG29
, 5F041CA40
