特許

J-GLOBAL ID：200903049124265139

半導体装置の平坦化方法及び平坦化装置

発明者： 杉山 美寿男 ,  新井 初雪
出願人/特許権者： スピードファム株式会社
代理人 (1件)： 澁谷 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-112091
公開番号（公開出願番号）：特開平7-297195
出願日： 1994年04月27日
公開日（公表日）： 1995年11月10日
要約：

【要約】【目的】 多層配線を施した半導体装置の層間絶縁膜等をケミカルメカニカルポリシング加工によって平坦化する平坦化方法及び平坦化装置を提供する。【構成】 定盤17上にポリウレタン不織布18hと硬質の発砲ポリウレタン18gから成る2層研磨布18が貼り付けられている。研磨布18gの表面を毛羽立ち及び表面全体の形状を創成するために、下面にダイヤモンドを被覆した工具21を設ける。シリコンウエハ20はバッキングパッド23を介してチャック19に保持され、定盤17、ウエハ20の回転により研磨布18によってウエハに作製した半導体装置の層間絶縁膜が研磨されると同時に、バッキングパッド23の曲率に一致した研磨面を備えた工具21で、研磨布18gの表面層に毛羽立ちを与え且つバッキングパッド23の曲率に一致した研磨面を研磨布表面に創成する。これによって研磨レートが安定し、研磨量のユニフォーミティが向上する。

請求項（抜粋）：

ケミカルメカニカルポリシング加工によって平坦化する半導体装置の平坦化方法において、合成樹脂製研磨布表面を、加工の初期に研磨布表面層形成を行うことを特徴とする半導体装置の平坦化方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  B24B 1/00 ,  B24B 37/04 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/304

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-343658
  
• 特開平4-242929
  
• 特開平4-343658
  
• 特開平4-242929