特許
J-GLOBAL ID：200903049124925864
誘電体磁器組成物の製造方法と誘電体層含有電子部品の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
前田 均
, 西出 眞吾
, 大倉 宏一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-062024
公開番号（公開出願番号）：特開2004-217520
出願日： 2004年03月05日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】 誘電体層厚みが、たとえば4μm以下という超薄層の場合においても、容量の温度特性であるX7R特性(EIA規格)およびB特性(EIAJ規格)をいずれも満足することができ、かつ、直流電界下での容量の経時変化が小さく、絶縁抵抗の加速寿命が長く、また、直流バイアス下の容量低下が小さい積層型セラミックコンデンサを得るための製造方法を提供すること。 【解決手段】 主成分であるBaTiO3 と、(Ba,Ca)x SiO2+x (ただし、x=0.8〜1.2)で表される第2副成分と、その他の副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、前記第2副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準備する工程と、前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程と、前記仮焼済粉体に、前記第2副成分を少なくとも混合し、主成分であるBaTiO3 に対する各副成分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得る工程とを有する製造方法。 【選択図】 無し
請求項（抜粋）：
組成式Bam TiO2+n で表され、前記組成式中のmが0.995≦m≦1.010であり、nが0.995≦n≦1.010であり、BaとTiとの比が0.995≦Ba/Ti≦1.010である主成分と、
酸化シリコンを主成分として含む焼結助剤である第2副成分と、
その他の副成分とを少なくとも有する誘電体磁器組成物を製造する方法であって、
前記第2副成分を除いて、前記主成分と、その他の副成分のうちの少なくとも一部とを混合し、仮焼前粉体を準備する工程と、
前記仮焼前粉体を仮焼きして仮焼済粉体を準備する工程と、
前記仮焼済粉体に、前記第2副成分を少なくとも混合し、前記主成分に対する各副成分の比率が所定モル比である誘電体磁器組成物を得る工程と、
を有し、
前記その他の副成分が、
MgO,CaO,BaO,SrOおよびCr2 O3 から選択される少なくとも1種を含む第1副成分と、
V2 O5 ,MoO3 およびWO3 から選択される少なくとも1種を含む第3副成分と、
Rの酸化物(ただし、RはY、Dy、Tb、GdおよびHoから選択される少なくとも一種)を含む第4副成分と、を少なくとも有し、
前記仮焼済粉体に、前記第2副成分を少なくとも混合し、前記主成分100モルに対する各副成分の比率が、
第1副成分:0.1〜3モル、
第2副成分:2〜12モル、
第3副成分:0.1〜3モル、
第4副成分:0.1〜10.0モル(ただし、第4副成分のモル数は、R単独での比率である)であり、
前記仮焼前粉体中に含まれる成分のモル比:(Ba+第1副成分の金属元素)/(Ti+第4副成分の金属元素)が1未満、または(Ba+第4副成分の金属元素)/(Ti+第1副成分の金属元素)が1を超えるように、前記仮焼前粉体を準備し、
前記仮焼前粉体を、600°C〜900°Cの温度で仮焼を行うことを特徴とする
誘電体磁器組成物の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C04B35/46 D
, H01G4/12 358
, H01G4/12 364
4G031AA03
, 4G031AA04
, 4G031AA05
, 4G031AA06
, 4G031AA07
, 4G031AA08
, 4G031AA11
, 4G031AA13
, 4G031AA16
, 4G031AA17
, 4G031AA18
, 4G031AA30
, 4G031BA09
, 4G031GA10
, 4G031GA11
, 4G031GA16
, 5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AE02
, 5E001AE03
, 5E001AE04
, 5E001AF06
, 5E001AH08
, 5E001AH09
, 5E001AJ02
