特許

J-GLOBAL ID：200903049129354482

半導体混晶

発明者： 尾江 邦重 ,  浅井 裕充
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149865
公開番号（公開出願番号）：特開平9-008405
出願日： 1995年06月16日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【目的】 温度変動に対してバンドギャップが一定である半導体混晶材料を得る。【構成】 Biを含み他がIII族とV族の元素よりなる材料で半導体混晶3を形成し、上記材料のバンドギャップを0.6eVから1.5eVにする。

請求項（抜粋）：

Biを含み他がIII族とV族の元素よりなる材料からなり、かつ、上記材料のバンドギャップが0.6eVから1.5eVであることを特徴とする半導体混晶。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/201 ,  H01L 31/10

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  H01L 29/201 ,  H01L 31/10 A