特許
J-GLOBAL ID：200903049136275091
レジストパターン形成方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-070386
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283112
出願日： 1994年04月08日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：
【要約】【目的】電離放射線によるリソグラフィ工程において、解像度ならびにスル-プットの高いポジ型のパタ-ン形成を可能とする、シリコン含有レジスト材料のドライ現像方法及びその装置を提供する。【構成】ポリシラン、ケイ素を側鎖に含むポリオレフィン誘導体またはケイ素を側鎖に含むポリメチルメタクリレ-ト誘導体を用いること、さらに露光工程から現像工程までの基板の搬送を含めた全操作を、真空中もしくは不活性ガス中でおこない、レジスト中のシリコン原子を酸化させずに、露光用チャンバとは別に設けた現像用チャンバ内で加熱し、露光部のレジストを除去する。【効果】従来のシリコン含有レジストのドライ現像において課題となっていた、現像感度の向上、付着物・レジスト残渣の低減を可能とし、高解像度で高スル-プットを実現できる。
請求項（抜粋）：
電離放射線を露光光源となし、露光によりレジストパタ-ンの潜像を形成した後、露光した部分のレジスト膜を除去して所望のパタ-ンを形成するレジストパタ-ン形成方法において、基板上に、ポリシラン、ケイ素を側鎖に含むポリオレフィン誘導体およびケイ素を側鎖に含むポリメチルメタクリレ-ト誘導体のうちから選択される少なくとも1種のシリコン含有レジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜に電離放射線を照射してレジストパタ-ンの潜像を形成する工程と、上記潜像を形成したレジスト膜を加熱して露光した部分のレジストを蒸発させてレジストパタ-ンを形成する工程を少なくとも含み、上記レジストパタ-ンの潜像を形成する工程と、上記レジストパタ-ンを形成する工程とを、基板の搬送を含めた全操作を真空中もしくは非酸化性の雰囲気中で行い、レジスト膜中のシリコン原子を酸化させずにパターニングすることを特徴とするレジストパタ-ン形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, C23F 1/00 102
, G03F 7/075
, G03F 7/36
H01L 21/30 568
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 572 A
