特許
J-GLOBAL ID:200903049137614159

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-003939
公開番号(公開出願番号):特開平7-210829
出願日: 1994年01月19日
公開日(公表日): 1995年08月11日
要約:
【要約】【目的】 センス電流の許容値を大きくすることができ、汎用性に優れ、SN比を向上させることができる信頼性に優れたMR効果型薄膜磁気ヘッドの提供を目的とする。【構成】 横バイアス層2と、横バイアス層2上に積層された非磁性層3と、非磁性層3上に積層されたMR効果層4と、MR効果層4上に積層された縦バイアス層5と、MR効果層4に電気的に接続されたMR効果層4へセンス電流を供給するリード層6と、リード層6上に積層された酸化膜絶縁体1等からなる再生感知部7aを有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、MR効果層4上のリード層6側に非磁性体からなる放熱層8を備えた構成を有している。
請求項(抜粋):
横バイアス層と、前記横バイアス層上に積層された非磁性層と、前記非磁性層上に積層された磁気抵抗効果層と、前記磁気抵抗効果層上に積層された縦バイアス層と、前記磁気抵抗効果層に電気的に接続された前記磁気抵抗効果層へセンス電流を供給するリード層と、前記リード層上に積層された酸化膜絶縁層等からなる再生感知部を有する磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果層の前記リード層側に非磁性体からなる放熱層を備えたことを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開昭61-242313
  • 特開昭59-183001
  • 特開昭61-242313

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