特許

J-GLOBAL ID：200903049137654150

液晶ディスプレイのTFT製造方法

発明者： 黄 庭輝 ,  陳 志宏 ,  孫 正宏
出願人/特許権者： 財団法人工業技術研究院
代理人 (1件)： 竹本 松司 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-290895
公開番号（公開出願番号）：特開2001-117116
出願日： 1999年10月13日
公開日（公表日）： 2001年04月27日
要約：

【要約】【課題】 TFT液晶ディスプレイの平坦化方法の提供。【解決手段】 第1金属相をガラス基板上にスパッタし、エッチングによりゲート導線を画定した後、スピナコーティングで有機ポリマー材料を堆積並びにキュアし、続いて酸素ガス及び六フッ化イオウを利用しドライエッチングして有機ポリマーをエッチバックし、さらにUVスペクトル終点検出器を利用しエッチングの終点を決定する。続いてゲート絶縁層、アモルファスシリコン層、窒化シリコン層を順に画定し、この窒化シリコンをエッチングした後にさらにn形ヘビードープアモルファスシリコンを堆積、画定し、さらに金属層を堆積、エッチングしてソース/ドレインを形成し、最後に窒化シリコン保護層を形成して、本発明の平坦化TFT構造を完成する。

請求項（抜粋）：

液晶ディスプレイのTFT製造方法において、第1導電層を基板の上に形成するステップ、第1導電層をエッチングしてゲート導線を形成するステップ、有機ポリマー材料を該ゲート導線と該基板の上に塗布するステップ、有機ポリマー層をエッチバックし、このとき該第2導電層を以てエッチング終点を検出するステップ、一つの誘電層をゲート導線と該有機ポリマー層の上に形成し、該TFTのゲート絶縁層となすステップ、アモルファスシリコン層を該誘電層の上に形成並びに画定し、該TFTのチャネル層となすステップ、ヘビードープアモルファスシリコン層を該アモルファスシリコン層の上に形成並びに画定するステップ、第2導電層を該ヘビードープアモルファスシリコン層の上に形成並びに画定し、該TFTのソースとドレインを形成するステップ、以上のステップを少なくとも具えたことを特徴とする、液晶ディスプレイのTFT製造方法。

IPC (3件)：

G02F 1/1365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 617 U ,  H01L 29/78 627 A

Fターム (54件)：

2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JA47 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB57 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092KA16 ,  2H092KA18 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA32 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA15 ,  2H092NA19 ,  2H092NA25 ,  2H092PA05 ,  5F110AA18 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE33 ,  5F110EE34 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG15 ,  5F110HK08 ,  5F110HK16 ,  5F110HK25 ,  5F110QQ04