半導体記憶装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-077852
公開番号（公開出願番号）：特開平6-290587
出願日： 1993年04月05日
公開日（公表日）： 1994年10月18日
要約：

【要約】【目的】同一データもしくはデータパターンの書き込み時間を短縮し、かつ、ある一定のデータパターンの書き込みを可能にする。【構成】行デコーダにより選択されるn本のワード線WL(1)〜WL(n)とセンスアンプと接続されるm組のビット線対BLP(1)〜BLP(m)から構成されるメモリセルアレイ119において、書き込み用のデータを任意のワード線上のメモリセル120に書き込んだ後、所定のモード設定(一括書き込み機能設定)を行う。次に/RASをアクティブにし、前記ワード線を活性化した後、センスアンプ活性化信号SEをアクティブにして、BLP(1)211〜BLP(m)214を介してセンスアンプにデータを読み出す。そして、一括して所望のワード線を活性化し、センスアンプに保持しておいたデータによって、各ワード線上のメモリセルにデータを書き込む。

請求項（抜粋）：

複数本のワード線と複数本のビット線とを有するメモリセルアレイと、前記ワード線を選択する行デコーダと、前記ビット線に接続するセンスアンプとを備えた半導体記憶装置において、所定のモード設定のもと、1回の/RASサイクル内で、/RAS入力時に指定されたアドレスによりワード線を活性化し、前記ワード線上のメモリセルのデータを前記センスアンプ列に読み出し、一定時間後、異なる1本もしくは複数本のワード線を活性化することにより、前記1本もしくは複数本のワード線上のメモリセルに前記データを書き込むことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (15件)

特開平3-216888
特開平4-013293
特開平4-222986

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