特許
J-GLOBAL ID：200903049138465572
結晶成長法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-069867
公開番号（公開出願番号）：特開平6-279182
出願日： 1993年03月29日
公開日（公表日）： 1994年10月04日
要約：
【要約】【目的】この発明は、基板の処理温度を低減化させ、基板の品質を維持することを主要な目的とする。【構成】シリコン基板(11)に対して原料ガス分子を照射し吸着させ、飽和不活性化させる工程と、前記基板(11)上の水素原子を除去し基板(11)表面を活性化する表面励起工程とによって基板(11)表面に原子を堆積させることを特徴とする結晶成長法。
請求項（抜粋）：
基板に対して原料ガス分子を照射し吸着させ、飽和不活性化させる工程と、前記基板上の水素原子を除去し基板表面を活性化する表面励起工程とによって基板表面に原子を堆積させることを特徴とする結晶成長法。
IPC (3件)：
C30B 25/02
, C30B 29/06 504
, H01L 21/203
