特許
J-GLOBAL ID：200903049152872997
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-343983
公開番号（公開出願番号）：特開平5-335565
出願日： 1985年03月27日
公開日（公表日）： 1993年12月17日
要約：
【要約】【目的】 所謂1/f雑音を低減して、S/N比の向上を図った半導体装置を提供する。【構成】 第1の導電型の半導体基板と、この半導体基板に所定間隔だけ離れて形成された第1の導電型とは反対の第2の導電型のソース領域及ドレイン領域と、このソース領域とドレイン領域との間に形成された半導体基板表面から所定の深さをもつ第2の導電型のチャンネル領域と、前記チャンネル領域と絶縁膜との界面に第1の導電型のキャリアを配備する配備手段とを具備する構成となっている。
請求項（抜粋）：
第1の導電型の半導体基板と、この半導体基板に所定間隔だけ離れて形成された第1の導電型とは反対の第2の導電型のソース領域及ドレイン領域と、このソース領域とドレイン領域との間に形成された半導体基板表面から所定の深さをもつ第2の導電型のチャンネル領域と、前記チャンネル領域と絶縁膜との界面に第1の導電型のキャリアを配備する配備手段とを有することを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 H
, H01L 29/78 301 C
