特許

J-GLOBAL ID：200903049155882144

導体パターン形成方法

発明者： 小菅 克也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292571
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124582
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 導体パターンを容易かつ微調整可能に形成することができる導体パターン形成方法を提供する。【解決手段】 絶縁性基板10の基板面10A上に導体パターンに対応するパターン形状の溝条12をレーザ加工等により形成する。次に、溝条12を形成した基板面10Aの全体に、蒸着やスパッタリングにより導体膜14を成膜する。次に、基板面10Aの全体に研磨を施すことにより、導体膜14の溝条12以外の部分を除去する。これにより、溝条12内にある導体は残存させ、その他の導体を除去し、溝条12に沿った導体パターン16を形成する。また、絶縁性基板20の基板面20A上に剥離剤28を塗布した後に、溝条22を形成し、基板面20A全体に導体膜24を成膜する。そして、導体膜24の溝条22以外の部分を剥離し、溝条22に残った導体により、導体パターン26を形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基体に導体パターンに対応するパターン形状の溝条を形成する溝加工工程と、前記溝条を形成した基体面上に導体膜を成膜する成膜工程と、前記導体膜の前記溝条以外の部分を除去する除去工程とを有し、前記溝条内の導体を残存させることにより導体パターンを形成する、ことを特徴とする導体パターン形成方法。

IPC (5件)：

H05K 3/14 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/04 ,  H05K 3/16 ,  H05K 3/18

FI (6件)：

H05K 3/14 A ,  H05K 3/00 J ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/04 Z ,  H05K 3/16 ,  H05K 3/18 Z

Fターム (23件)：

5E339AB02 ,  5E339BC02 ,  5E339BD05 ,  5E339BD08 ,  5E339BD13 ,  5E339BE03 ,  5E339CF06 ,  5E339CG02 ,  5E339DD03 ,  5E343AA01 ,  5E343AA02 ,  5E343AA15 ,  5E343AA17 ,  5E343BB03 ,  5E343BB24 ,  5E343DD23 ,  5E343DD25 ,  5E343DD32 ,  5E343EE32 ,  5E343EE33 ,  5E343EE43 ,  5E343GG08 ,  5E343GG11