特許

J-GLOBAL ID：200903049157875072

半導体装置及びその製造方法

発明者： 上月 繁雄 ,  米田 辰雄 ,  碓氷 康典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-195576
公開番号（公開出願番号）：特開2002-016250
出願日： 2000年06月29日
公開日（公表日）： 2002年01月18日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、MOSFETにおいてオン抵抗を低減させると同時に、逆方向耐圧を向上をさせることを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体基板と、その上に選択的に形成された第一導電型の半導体層と、この半導体層に隣接した第二導電型の半導体層と、第二導電型の半導体層の表面に形成された第二導電型の不純物拡散領域と、この不純物拡散領域の表面に選択的に形成された第一導電型の不純物拡散領域と、第一導電型の不純物拡散領域と前記第一導電型の半導体層との間に位置する、第二導電型の不純物拡散領域の表面領域にチャネルを形成するよう、その表面領域上に設けられたゲート電極とを有する。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に選択的に形成され、前記半導体基板よりも低不純物濃度の第一導電型の半導体層と、前記第一導電型の半導体層に隣接して配置され、前記第一導電型の半導体層とほぼ同一の不純物濃度であり、その中央部分に溝領域を有する第二導電型の半導体層と、少なくとも前記第二導電型の半導体層の表面を含む領域に形成された第二導電型の不純物領域と、前記第二導電型の不純物拡散領域の表面に選択的に形成された第一導電型の不純物領域と、前記第一導電型の不純物領域と前記第一導電型の半導体層との間に位置する、前記第二導電型の不純物領域の表面領域にチャネルを形成するよう、その表面領域上に絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 652 H ,  H01L 29/78 652 R ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 G

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体材料の製造方法及びこの材料を用いた装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-545356   出願人：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ