特許
J-GLOBAL ID：200903049168493368
薄膜配線基板およびその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-219992
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064536
出願日： 1995年08月29日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】絶縁層表面の凹凸を0.2μm程度あるいはそれ以下となし、平滑な絶縁層表面に高密度の微細な配線の形成を可能とし、短絡、断線のない信頼性の高い薄膜配線基板とその作製方法を提供する。【構成】基板上に形成した第1の配線層と、第1の配線層上に、接着層を介して押圧して積層した第1の絶縁層と、第1の絶縁層上に、液状樹脂を塗布して成膜した表面平滑な樹脂層よりなる第2の絶縁層(表面の凹凸0.2μm以下)を設け、第2の絶縁層上に、スルーホールを介して、第1の配線層と接続する第2の配線層を少なくとも配設した薄膜配線基板、および回路基板の絶縁層の形成工程において、表面に金属箔、裏面に接着層が付いた絶縁性シートを用い、金属箔を剥離した後、表面凹凸を平坦化するための液状樹脂の塗布、加熱硬化して表面が平滑な絶縁層を形成する工程を含む薄膜配線基板の作製方法。
請求項（抜粋）：
基板上に形成した第1の配線層と、該第1の配線層上に、接着層を介して押圧して積層した第1の絶縁層と、該第1の絶縁層上に、液状樹脂を塗布して成膜した表面平滑な樹脂層よりなる第2の絶縁層を設け、該第2の絶縁層上に、スルーホールを介して、上記第1の配線層と接続する第2の配線層を少なくとも配設してなることを特徴とする薄膜配線基板。
FI (3件)：
H05K 3/46 E
, H05K 3/46 N
, H05K 3/46 T
