特許
J-GLOBAL ID：200903049170190798
真空成膜方法およびその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
樺澤 襄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-010783
公開番号（公開出願番号）：特開平6-287754
出願日： 1994年02月02日
公開日（公表日）： 1994年10月11日
要約：
【要約】【目的】 基板の温度変更のための加熱室や冷却室を必要とせず、基板の温度制御を最短時間で行なうことができ、装置のコストの低下、小型化および生産性の大幅な向上を図れる真空成膜装置を提供する。【構成】 搬入搬出室21、搬送室24、第1の成膜室26、第2の成膜室29および加熱室32を、それぞれゲートバルブ22,23,25,28,31を介して設ける。異なるプロセス条件で連続して形成する場合、成膜後の第1および第2の成膜室26,29内の排気時間、マトリクスアレイ基板を第1の成膜室26から第2の成膜室29まで搬送する搬送室24の基板枚葉搬送機構による搬送時間、搬送室内の圧力、成膜前の真空待機時間、成膜前の材料ガス導入調圧時間をコントローラで最適値に設定する。各成膜圧力を最適値に設定して成膜して、基板の温度変更のための加熱室や冷却室を必要とせず、基板の温度制御を最短時間で行なう。
請求項（抜粋）：
基板を枚葉式に搬送出し、基板加熱ヒータを設けた成膜室にて前記基板に薄膜を形成する真空成膜方法において、前記基板加熱ヒータの発熱温度を一定にし、前記成膜室内の圧力設定値および前記基板を搬送する搬送時間の少なくともいずれか1つを制御して前記基板の温度を制御することを特徴とする真空成膜方法。
引用特許：
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