電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-206352
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053241
出願日： 1992年08月03日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】チャネル層上に熱的に安定な耐熱性金属膜を堆積するとき、チャネル層表面に生じる損傷を防ぐ。【構成】チャネル層2が形成されたGaAs基板1表面に絶縁膜3を形成したのちゲート領域を開口する。つぎに電子ビーム蒸着法により第1の耐熱性金属膜4を堆積する。つぎに絶縁膜13を堆積したのち350〜550°Cで熱処理する。つぎに絶縁膜13をパターニングしたのち、スパッタ法により第2の耐熱性金属膜5および比抵抗の小さい金属膜6を堆積する。つぎにイオンミリングおよびドライエッチングを行なったのち、バッファード弗酸を用いて絶縁膜13を除去する。つぎに第1の耐熱性金属膜4をエッチングしたのちレジストを剥離する。つぎに絶縁膜膜3をエッチングしてコンタクトを開口したのちソース電極7およびドレイン電極8を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上にチャネル層を形成したのち全面に絶縁膜を形成してから、ゲート形成予定領域の前記絶縁膜をエッチングする工程と、蒸着法により全面に第1の耐熱性金属膜を堆積したのち、350〜550°Cで熱処理する工程と、前記第1の耐熱性金属膜の上に第2の耐熱性金属膜および比抵抗の小さい第3の金属膜を順次堆積する工程と、前記第3の金属膜、前記第2の耐熱性金属膜および前記第1の耐熱性金属膜をパターニングして前記第1の耐熱性金属膜、前記第2の耐熱性金属膜および前記第3の金属膜からなるゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極の外側の前記絶縁膜をエッチングしたのち、ソース電極およびドレイン電極となるオーミック金属膜を形成する工程とを含む電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭56-029324
特開昭64-002320
特開平2-285645

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