特許

J-GLOBAL ID：200903049170463433

半導体パッケージの形成方法

発明者： 安本 恭章 ,  五代儀 靖 ,  山口 秀樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-067283
公開番号（公開出願番号）：特開平11-265958
出願日： 1998年03月17日
公開日（公表日）： 1999年09月28日
要約：

【要約】【課題】 セラミックス基板、樹脂配線基板のそれぞれの表面と接着層との間の接着不良や剥がれを防ぎ、歩留まりが向上できる半導体パッケージの形成方法を提供する。【解決手段】 セラミックス基板10上に接着層20を介在して樹脂配線基板30を張り合わせる、セラミックス・樹脂複合基板を利用した半導体パッケージにおいて、セラミックス基板10の表面、樹脂配線基板30の表面に表面活性化処理を行う。表面活性化処理は反応性スパッタエッチング等のエッチングにより行われる。表面活性化処理はSF6ガス、CF4ガス等のガスを使用したプラズマにより行う。プラズマの生成にはマイクロ波、ヘリコン波等が併用される。さらに、表面活性化処理においては基板温度が-40°C-250°Cの範囲に調節される。

請求項（抜粋）：

それぞれ表面に端子が配設されたセラミックス基板及び樹脂配線基板を形成する工程と、前記セラミックス基板表面、樹脂配線基板表面にそれぞれ表面活性化処理を行う工程と、前記セラミックス基板表面に接着層を介在して樹脂配線基板表面を張り合わせるとともに、セラミックス基板の端子と樹脂配線基板の端子との間を突起電極を介在して電気的に接続する工程と、を備えたことを特徴とする半導体パッケージの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 23/12 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/48

FI (5件)：

H01L 23/12 N ,  H01L 21/60 301 A ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/96

引用特許：

審査官引用 (2件)

• セラミックス/プラスチックスハイブリッド多層プリント板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-301152   出願人：三菱瓦斯化学株式会社
• 多層配線基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-186454   出願人：日本特殊陶業株式会社