特許
J-GLOBAL ID：200903049176610071
積層磁性膜およびそれを用いた薄膜磁気素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214876
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063844
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【課題】 積層磁性膜を構成する層間絶縁層には、量産性等に優れたウエットエッチングへの適合性と、磁性層との優れた非反応性の双方が要求されているが、これら要求特性を全て満足するまでには至っていない。【解決手段】 主構成元素としてFe、Co、 Bおよび4B族元素を含有する磁性材料等からなる面内で一軸磁気異方性を有する磁性層1と、この磁性層1に当接して積層配置されたMgおよび Oを主成分とする絶縁層2とを、例えば順に繰り返し積層して構成した積層磁性膜である。
請求項（抜粋）：
面内で一軸磁気異方性を有する磁性層と、前記磁性層に当接して積層配置されたMgおよび Oを主成分とする絶縁層とを具備することを特徴とする積層磁性膜。
IPC (3件)：
H01F 10/16
, H01F 10/26
, H01F 17/00
H01F 10/16
, H01F 10/26
, H01F 17/00 D
