特許

J-GLOBAL ID：200903049178937728

巨大磁気抵抗効果膜

発明者： 井上 光輝 ,  藤井 壽崇 ,  篠浦 治
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 皿田 秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-001197
公開番号（公開出願番号）：特開2001-308414
出願日： 2001年01月09日
公開日（公表日）： 2001年11月02日
要約：

【要約】【課題】 簡便な方法でかつ、磁界感度の良好なトンネル電流磁気抵抗効果膜を得る。【解決手段】 基板上に成膜された下地磁性体膜と、当該下地磁性体膜の上に形成された絶縁体膜を有する巨大磁気抵抗効果膜であって、前記下地磁性体膜は、薄膜の面内で方向性を有する凹凸構造を有し、当該凹部に埋設された前記絶縁体膜を介して隣接する下地磁性体膜の凸部間でトンネル電流が流れるように作用する箇所が基板上に形成されているように構成される。

請求項（抜粋）：

基板上に成膜された下地磁性体膜と、当該下地磁性体膜の上に形成された絶縁体膜を有する巨大磁気抵抗効果膜であって、前記下地磁性体膜は、薄膜の面内で方向性を有する凹凸構造を有し、当該凹部に埋設された前記絶縁体膜を介して隣接する下地磁性体膜の凸部間でトンネル電流が流れるように作用する箇所が基板上に形成されていることを特徴とする巨大磁気抵抗効果膜。

IPC (4件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16

FI (4件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R