特許

J-GLOBAL ID：200903049179039154

水の付加によって金属窒化物基板に付着する銅薄膜を改良する方法

発明者： ウェイ-ウェイ サン ,  シェン テン スー ,  ダビット ラッセル エバンス
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-084212
公開番号（公開出願番号）：特開2002-317271
出願日： 2002年03月25日
公開日（公表日）： 2002年10月31日
要約：

【要約】【課題】 改良された銅薄膜体堆積を提供する。【解決手段】 本発明の化学蒸着によって銅薄膜を形成する方法は、化学蒸着チャンバにウェハを導入するステップと、ヘリウムガスを水で加湿して、化学蒸着チャンバ内の雰囲気として使用されるウェットヘリウムガスを形成するステップと、周囲温度から約150°Cと230°Cとの間にウェハ温度を上げている間に、約5.0sccmから20.0sccmの間のウェットヘリウムフローレートで銅シード層を堆積するステップと、約0.2sccmから1.0sccmの間のウェットヘリウムフローレートで、約150°Cから230°Cの間の温度で、銅薄膜層を堆積するステップとを包含する。

請求項（抜粋）：

化学蒸着によって銅薄膜を形成する方法であって、化学蒸着チャンバにウェハを導入するステップと、ヘリウムガスを水で加湿して、該化学蒸着チャンバ内の雰囲気として使用されるウェットヘリウムガスを形成するステップと、周囲温度から約150°Cと230°Cとの間にウェハ温度を上げている間に、約5.0sccmから20.0sccmの間のウェットヘリウムフローレートで銅シード層を堆積するステップと、約0.2sccmから1.0sccmの間のウェットヘリウムフローレートで、約150°Cから230°Cの間の温度で、銅薄膜層を堆積するステップとを包含する方法。

IPC (2件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/18

FI (2件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/18

Fターム (11件)：

4K030AA11 ,  4K030AA12 ,  4K030AA16 ,  4K030BA01 ,  4K030EA01 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030JA11

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 水を添加して銅の伝導率を向上させるCu(hfac)TMVS前駆体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-144067   出願人：シャープ株式会社