特許
J-GLOBAL ID：200903049180433435
MOSトランジスタと同一基板上のコンデンサ形成方法、これにより形成されたコンデンサ、及び電気的構造の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265335
公開番号（公開出願番号）：特開平6-163818
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1994年06月10日
要約：
【要約】【構成】 先ずコンデンサの上側極板として使用されるべきポリシリコンまたは等価物の極板106を、基板80上に成長させた酸化層90の上に形成する。この上側極板の長さを、同じプロセスで形成されたMOSトランジスタのゲート長より短くすることによって、MOSトランジスタの自己整合させたソース及びドレイン領域の形成と同じ手法で前記極板の両側の基板の露出領域内に不純物を導入した後、該不純物がドライブインの際に横方向に拡散して、拡散領域132、133を極板の下側で近接させて分離しまたは併合させる。【効果】 この結果得られたコンデンサ構造は、単に接続されかつコンデンサとして使用されるMOSトランジスタよりも、VGSのレベルの変化に対してより安定した容量を有し、かつ直列抵抗がより低い。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタと同一基板上にコンデンサを形成する方法であって、第1導電型の基板の上面の上に誘電層を形成する過程と、前記誘電層の上に導電性の極板を形成する過程と、第2導電型の不純物を前記基板内に導入して、前記基板内に前記極板の周辺部分に整合する下側極板領域を形成する過程と、前記下側極板領域内の前記不純物が前記極板の下側に於て横方向に拡散するように前記不純物をドライブインする過程とからなり、横型MOSトランジスタが、前記MOSトランジスタ及び前記コンデンサについて特定の動作電圧を与えると、前記不純物のドライブイン過程の後に、前記下側極板領域の接合深さと実質的に等しいソース及びドレインの接合深さを有するように前記基板内に形成された場合に、前記極板の長さが前記MOSトランジスタの許容されるゲート長より短く、更に前記下側極板領域及び前記極板を回路内に於て、該回路のコンデンサとして動作するように電気的に接続する過程とからなり、前記誘電層が、前記コンデンサの前記特定の動作電圧下で電子が前記誘電層を通り抜けできない厚さを有することを特徴とするMOSトランジスタと同一基板上のコンデンサ形成方法。
引用特許：
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