特許
J-GLOBAL ID：200903049181011089
プラズマ処理中の粒子のゲッタ除去
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
頓宮 孝一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-226086
公開番号（公開出願番号）：特開平5-217950
出願日： 1992年08月25日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、高い電荷/質量比を有する粒子を半導体ウェハからゲッタ除去することを含む、プラズマ処理のための装置と方法を提供することである。【構成】 本発明の一態様では、磁石15、17を使用して電界Eを横切る磁界27、29を生成し、ウェハ1から負の粒子を引き出して、粒子をトラップする可能性のあるシースの形成を防止する。本発明の第2の態様では、電源をウェハ電極に接続してウェハ上に負の電荷を維持し、これによってプラズマをオフにしたときに負の粒子がウェハ表面に引かれるのを防止する。本発明の他の実施例では、低密度のプラズマ源を使用して、粒子がチャンバを横切ってゲッタ除去されるようにする大きなプラズマ・シースを生成する。低密度のプラズマ放電とこれに続く高密度へのパルスを使用して、ウェハとウェハ電極の間の絶縁層の負の効果を克服する。
請求項（抜粋）：
半導体ウェハが負電極上に取り付けられ、高周波プラズマ放電にさらされる、半導体回路の製造で使用される、プラズマ処理システムにおいて、半導体ウェハが載った前記の負電極の近くにあり、正電極と負電極が1つの電界を発生させる、少なくとも1つの正電極と、電界を横切る磁界を発生させ、それによって、負に帯電した粒子及びイオンを前記の正電極に引きつけ、プラズマ及び半導体ウェハからゲッタ除去させる手段とを含み、プラズマ・シース中にトラップされた負に帯電した粒子及びイオンをゲッタ除去するための装置。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23C 14/00
, C23F 4/00
, H01L 21/31
