特許

J-GLOBAL ID：200903049182379896

端面発光型LED、端面発光型LEDアレイ、光源装置及びそれらの製造方法

発明者： 登 正治 ,  藤原 博之 ,  小泉 真澄 ,  山中 綾 ,  石丸 真人 ,  中村 幸夫
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 清水 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-315873
公開番号（公開出願番号）：特開平9-223818
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】【課題】 端面側にP/N界面を形成し、P/N界面での発光を有効に端面側に取り出すことができる端面発光型LED、端面発光型LEDアレイ、光源装置及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 N型半導体基板11と、このN型半導体基板11の第1の面11cに所定の範囲内の深さを持つように形成されたP型GaAsP層13とを有し、N型半導体基板11が、前記第1の面11cと所定の角度をなすように設けられた第2の面11dを有し、N型半導体基板11とP型GaAsP層13との境界面の第2の面11d側近傍の端部の少なくとも一部に第1の面11cに対し傾斜した部分を有し、前記境界面で発生した光が第2の面11dを通して出射されるようにした。

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板と、前記第1導電型半導体基板の第1の面に所定の範囲内の深さを持つように形成された第2導電型拡散層とを有し、前記第1導電型半導体基板が、前記第1の面と所定の角度をなすように設けられた第2の面を有し、前記第1導電型半導体基板と前記第2導電型の拡散層との境界面の前記第2の面側近傍の端部の少なくとも一部に前記第1の面に対し傾斜した部分を有し、前記境界面で発生した光が前記第2の面を通して出射されるようにしたことを特徴とする端面発光型LED。