特許
J-GLOBAL ID：200903049193642807
半導体記憶装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-163074
公開番号（公開出願番号）：特開平6-004399
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 読み出しに比較して書き込みが低速なフラッシュメモリを用いた半導体ディスク装置において、高速な書き込みを提供する。【構成】 標準バス1、複数個のフラッシュメモリ4、データを一時保持するためのライトバッファメモリ5、プロセッサ2を有する。プロセッサ2は、データの書き込みの制御や、コマンドやステータスの授受や解析を行う。31は物理アドレスを発生するアドレス制御部、6はフラッシュメモリの書き込み電源であるVpp発生回路、71はメモリアドレスバスであり、72はデータバスである。プロセッサ2は、連続に書き込まれる1ワードのデータを任意のフラッシュメモリに書き込み、そのフラッシュメモリに次の1ワードのデータの書き込みが可能となるまでの待ち時間の間に、アクセス可能なフラッシュメモリに連続して書き込んでいく。
請求項（抜粋）：
フラッシュメモリを複数個搭載し、上記フラッシュメモリにデータの記憶を行なう半導体記憶装置において、書き込み指示を上記フラッシュメモリに送り、書き込み指示が送られた上記フラッシュメモリが次の書き込み指示を受付可能となるまでの間に、書き込みが行なわれている上記フラッシュメモリとは別のフラッシュメモリに書き込み指示を送る制御部を有することを特徴とした半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G06F 12/06 530
, G11C 16/06
