半導体層の成長方法及び半導体層の成長装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-113061
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326023
出願日： 1993年05月14日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：

【要約】【目的】結晶性にすぐれたMgを含む半導体層を形成する。【構成】半導体層を成長させる被成長基体に向かうMgを含むビームにエネルギーを与えてそのMgを活性種化して被成長基体上にMgを含む半導体層を成長させる。

請求項（抜粋）：

半導体層を成長させる被成長基体に向かうMgを含むビームにエネルギーを与えて該Mgを活性種化して上記被成長基体上にMgを含む半導体層を成長させることを特徴とする半導体層の成長方法。

IPC (3件)：

H01L 21/203 , C30B 23/08 , H01L 21/263

引用特許：

審査官引用 (4件)

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