特許
J-GLOBAL ID：200903049197444597
プラズマ・ダメージ低減法およびプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-094953
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267237
出願日： 1992年03月23日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 磁界印加型の高周波プラズマ処理装置を用いて、エッチングを行うときのゲート・リーク等のプラズマ・ダメージの発生を低減する。【構成】 基板電極11に高周波電界を印加してプラズマを発生させ、さらにこのプラズマに電磁石ユニット13より磁界を印加してその基板電極11上に置かれた試料ウエハ18のエッチングを行うプラズマ処理装置において、印加磁界の基板電極11上の試料ウエハ18上での強度分布の傾きを零にするように構成する。これにより、エッチングを行うときのプラズマ・ダメージを、エッチング速度とその均一性を確保しながら、低減することができる。
請求項（抜粋）：
基板電極に高周波電界を印加してプラズマを発生させ、さらに該プラズマに磁界を印加してその基板電極上に置かれた試料のエッチングを行うプラズマ処理装置において、前記磁界の基板電極上の試料上での強度分布の傾きを零にすることを特徴とするプラズマ・ダメージ低減法。
IPC (4件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, H05H 1/46
, C23C 14/35
