特許

J-GLOBAL ID：200903049199877865

磁気抵抗効果型磁気ヘツド

発明者： 久原 隆 ,  渕上 祥児
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-279193
公開番号（公開出願番号）：特開平5-120639
出願日： 1991年10月25日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 再生出力内にバルクハウゼンノイズや外部磁場によるノイズを抑えることができるので、安定した高出力を得ることができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドの提供を目的とする。【構成】 基板1の上に絶縁層2を設け、絶縁層2の上にアモルファス合金によって軟磁性バイアス補助膜3を設け、その上に非磁性層4を介して磁気抵抗効果型素子膜5を形成する。そして磁気抵抗効果型素子膜5のリード6をFe-Mn層7,金層8,Ti層9を順に積層して形成される構成とした。

請求項（抜粋）：

磁気抵抗効果型素子膜上にリードを形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドであって、磁気抵抗効果型素子膜の一方の面に非磁性層を介してアモルファス合金でできた軟磁性バイアス補助層を設けるとともに、他方の面にFe-Mn層,金層,Ti層を順に積層したリードを設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-068706
  
• 特開昭63-117310
  
• 特開平3-168912