特許
J-GLOBAL ID:200903049202591501
誘電体材料および誘電体材料の製造方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大場 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-342506
公開番号(公開出願番号):特開2004-083386
出願日: 2002年11月26日
公開日(公表日): 2004年03月18日
要約:
【課題】低いεrであっても高いQ・fを得ることのできる誘電体材料を提供する。【解決手段】α4β2O9型の結晶相が主相をなす焼結体からなることを特徴とする誘電体材料。特に、Mg4Nb2O9結晶相を主相とする焼結体は、εrがおよそ13で、共振法により8〜11GHzのいずれかの周波数で測定したQ・fが240000(GHz)を超える特性が得られる。【選択図】 図7
請求項(抜粋):
α4β2O9型の結晶相が実質的に主相をなす焼結体からなることを特徴とする誘電体材料。
IPC (3件):
C04B35/495
, H01B3/12
, H01P7/10
FI (4件):
C04B35/00 J
, H01B3/12 313
, H01B3/12 333
, H01P7/10
Fターム (19件):
4G030AA07
, 4G030AA08
, 4G030AA09
, 4G030AA10
, 4G030AA20
, 4G030AA21
, 4G030BA09
, 4G030CA01
, 4G030GA08
, 5G303AA05
, 5G303AB06
, 5G303AB08
, 5G303BA12
, 5G303CA01
, 5G303CB03
, 5G303CB17
, 5G303CB21
, 5G303CB33
, 5J006HC07
引用特許:
出願人引用 (2件)
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誘電体セラミック組成物
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-097608
出願人:アモートロン・カンパニー・リミテッド
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特開昭54-071400
審査官引用 (5件)
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引用文献:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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Low temperature synthesis of Mg4Nb2O9
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Low temperature synthesis of Mg4Nb2O9
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Low temperature synthesis of Mg4Nb2O9
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