特許

J-GLOBAL ID：200903049212724801

高分子又は高分子複合材研磨パッドの製造方法

発明者： ヤンシー,ポール・ジェイ
出願人/特許権者： ロデール ホールディングス インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 津国 肇 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-545039
公開番号（公開出願番号）：特表2003-516872
出願日： 2000年12月11日
公開日（公表日）： 2003年05月20日
要約：

【要約】【課題】 異なるバッチによって製造される半導体基板の研磨用の研磨パッドにおける差違を回避させる研磨パットの製造方法を提供することである。【解決手段】 半導体基板を研磨するために使用される研磨パッド(300)を製造する方法であって、輸送される裏打ち層(302)を形成する連続材料を連続する製造ステーションに輸送する工程と、流体相ポリマー組成物を輸送される裏打ち層(302)の上に供給する工程と、流体相ポリマー組成物を計られた厚さの表層に成形する工程と、輸送される裏打ち層(302)上のポリマー組成物を硬化オーブン中で硬化させて、液相ポリマー組成物を輸送される裏打ち層(302)に付着した固相研磨層(304)を提供する固相ポリマー層に転換する工程とを含む方法。

請求項（抜粋）：

半導体基板を研磨するために使用される研磨パッドを製造する方法であって、 移送される下地層(302)を形成する連続材料を連続する製造ステーション(114)(122)(126)に移送する工程と、 流体相高分子組成物を前記移送される下地層(302)の上に供給する工程と、 前記移送される下地層(302)上の前記流体相高分子組成物を正確に計った厚さの表面層(304)に成形する工程と、 前記移送される下地層(302)上の前記高分子組成物を硬化オーブン中で硬化させて、前記高分子組成物を、前記移送される下地層(302)に付着した、半導体基板を研磨するために使用される研磨パッド(300)の固相研磨層(304)を提供する固相高分子層に転換する工程とを含む方法。

IPC (3件)：

B24D 11/00 ,  H01L 21/304 622 ,  B24B 37/00

FI (4件)：

B24D 11/00 Q ,  B24D 11/00 B ,  H01L 21/304 622 F ,  B24B 37/00 C

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA17 ,  3C063AA10 ,  3C063EE10