特許

J-GLOBAL ID：200903049215530692

成形基板の取出方法および取出装置および成形基板

発明者： 井上 和夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146080
公開番号（公開出願番号）：特開2000-334787
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
要約：

【要約】【課題】 高密度化により金型の高温化から基板取出の際に基板表面が吸盤と接触することで部分的に急冷され変形を生じる。また、厚みが薄いため剛性が低く、外観とチルトに課題があった。【解決手段】 基板を低熱伝導率で耐熱性の多孔質弾性体13と接触させ、かつ、多孔質弾性体を介して基板を真空吸引して保持して、基板を取出すものであり、基板表面が急冷されなくなり、変形歪みを抑制できると共に、成形基板8は外観良化だけでなく半径方向の傾きであるタンジェンシャルチルトも良化し、貼り合わせの歩留まりを向上することができる。

請求項（抜粋）：

基板を多孔質弾性体と接触させ、かつ、多孔質弾性体を介して基板を真空吸引することを特徴とする成形基板の取出方法。

IPC (5件)：

B29C 45/42 ,  B29C 33/44 ,  G11B 7/24 531 ,  G11B 7/26 ,  B29L 17:00

FI (4件)：

B29C 45/42 ,  B29C 33/44 ,  G11B 7/24 531 Z ,  G11B 7/26

Fターム (13件)：

4F202AG19 ,  4F202AH38 ,  4F202AH79 ,  4F202AJ05 ,  4F202AM32 ,  4F202CA11 ,  4F202CM02 ,  4F202CM08 ,  4F202CM14 ,  5D029KB20 ,  5D121AA02 ,  5D121DD05 ,  5D121DD17