特許
J-GLOBAL ID：200903049216203067

ワイヤーグリッド偏光素子の製造方法及び液晶装置の製造方法

発明者：
澤木 大輔

澤木 大輔 について

, 
久保田 尚孝

久保田 尚孝 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-008808
公開番号（公開出願番号）：特開2009-169213
出願日： 2008年01月18日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：
【課題】製造過程を簡素化することが可能なワイヤーグリッド偏光素子の製造方法及び液晶装置の製造方法を提供すること。【解決手段】ワイヤーの構成材料を含むワイヤー材料層を基体上に形成するワイヤー材料層形成工程と、第1波長に感度を有する酸発生剤と前記第1波長よりも大きい第2波長に感度を有する酸発生剤とを含む化学増幅型レジスト層を前記ワイヤー材料層上に形成するレジスト層形成工程と、前記レジスト層の第1領域を前記第1波長の光によって干渉露光する干渉露光工程と、前記レジスト層の第2領域を前記第2波長の光によって結像露光する結像露光工程と、前記干渉露光工程及び前記結像露光工程を行った後、前記レジスト層を現像して部分的に剥離する現像剥離工程と、前記ワイヤー材料層のうち前記現像剥離工程によって露出した部分をエッチングするエッチング工程とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数のワイヤーがグリッド状に設けられた偏光分離部を基体上に有するワイヤーグリッ ド偏光素子の製造方法であって、 前記ワイヤーの構成材料を含むワイヤー材料層を前記基体上に形成するワイヤー材料層 形成工程と、 第1波長に感度を有する酸発生剤と前記第1波長よりも大きい第2波長に感度を有する 酸発生剤とを含む化学増幅型レジスト層を前記ワイヤー材料層上に形成するレジスト層形 成工程と、 前記レジスト層の第1領域を前記第1波長の光によって干渉露光する干渉露光工程と、 前記レジスト層の第2領域を前記第2波長の光によって結像露光する結像露光工程と、 前記干渉露光工程及び前記結像露光工程を行った後、前記レジスト層を現像して部分的 に剥離する現像剥離工程と、 前記ワイヤー材料層のうち前記現像剥離工程によって露出した部分をエッチングするエ ッチング工程と を備えることを特徴とするワイヤーグリッド偏光素子の製造方法。
IPC (4件)：
G02B 5/30 ,  G02B 5/18 ,  G02F 1/133 ,  G02B 27/28
FI (4件)：
G02B5/30 ,  G02B5/18 ,  G02F1/1335 510 ,  G02B27/28 Z
Fターム (56件)：
2H049AA03 ,  2H049AA13 ,  2H049AA50 ,  2H049AA60 ,  2H049AA64 ,  2H049AA65 ,  2H049BA05 ,  2H049BA43 ,  2H049BA45 ,  2H049BB01 ,  2H049BB03 ,  2H049BC12 ,  2H049BC22 ,  2H091FA02Y ,  2H091FA07X ,  2H091FA07Z ,  2H091FA14X ,  2H091FA14Z ,  2H091FA19X ,  2H091FA19Z ,  2H091FA37X ,  2H091FA37Z ,  2H091FC10 ,  2H091FC23 ,  2H091FC26 ,  2H091GA01 ,  2H091GA02 ,  2H091GA13 ,  2H091LA12 ,  2H191FA02Y ,  2H191FA21X ,  2H191FA21Z ,  2H191FA31X ,  2H191FA31Z ,  2H191FA40X ,  2H191FA40Z ,  2H191FA48X ,  2H191FA48Z ,  2H191FC10 ,  2H191FC33 ,  2H191FC36 ,  2H191GA01 ,  2H191GA04 ,  2H191GA19 ,  2H191LA13 ,  2H199AB12 ,  2H199AB29 ,  2H199AB42 ,  2H199AB52 ,  2H199AB58 ,  2H249AA03 ,  2H249AA13 ,  2H249AA50 ,  2H249AA60 ,  2H249AA64 ,  2H249AA65
引用特許：
出願人引用 (1件)

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