ホトダイオード内蔵半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-207588
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078720
出願日： 1994年08月31日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】チップ外周部からの斜め方向の光入射に対しても内部回路が誤動作することのない、ホトダイオード内蔵半導体装置を提供する。【構成】ホトダイオード本体と内部回路を形成する半導体チップ20の前記ホトダイオード本体を除く部分をアルミ配線層による遮光膜22で被覆する。チップの周辺部分に、チップ20の全周を囲むようなダミーアイランド24を形成し、ダミーアイランド24の表面にN+型のカソード低抵抗領域25を形成する。半導体基板とダミーアイランド24とのPN接合に逆バイアスを与えることによりダミーのホトダイオードを形成する。

請求項（抜粋）：

一つの半導体チップ上に光信号受光用のホトダイオードとその周辺回路とを集積化したホトダイオード内蔵半導体装置において、前記半導体チップの周辺部分にダミーのホトダイオードを有することを特徴とするホトダイオード内蔵半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 31/10 , G09F 9/00 315 , H01L 21/60 301 , H01L 27/146

FI (2件)：

H01L 31/10 A , H01L 27/14 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-127165
特開昭62-086751

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